1.用安培提出的分子电流假说可以解释下列哪些现象( )
A.通电螺线管的磁场 B.直线电流的磁场
C.环形电流的磁场 D.软铁棒被磁化的磁场
D [安培分子电流假说说明一切磁现象都是由运动电荷产生的.故A、B、C错误,D正确.]
2.如图,金属杆ab的质量为m,通过的电流为I,处在磁感应强度为B的匀强磁场中,平行导轨间的距离为L,结果ab静止且紧压于水平导轨上.若磁场方向与导轨平面成θ角,金属杆ab与水平导轨间的动摩擦因数为μ,则以下说法正确的是( )
A.金属杆ab所受的安培力大小为BILsin θ
B.金属杆ab所受的安培力大小为BILcos θ
C.金属杆ab所受的摩擦力大小为BILsin θ
D.金属杆ab所受的摩擦力大小为μmg
C [对ab杆受力分析如图所示F=BIL
Fcos(90°-θ)=f
解得f=BILsin θ,故C正确.]